C波段射频晶体管S波段射频晶体管AM025WN-BI-R
发布时间：2018-10-31 15:42:33 浏览：2095
描述
特征
高达8 GHz的高频操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏极＝56% @ 3 GHz。
表面贴装
高动态接收机
蜂窝无线基站
宽带和窄带放大器
雷达
测试仪表
陆军
干扰机
AMCOM的AM025WN-Bi-R是一个离散的GaN/SiC HEMT，其总栅极宽度为2.5mm。它在陶瓷封装中运行可达8 GHz。BI系列使用特殊设计的陶瓷封装，具有弯曲（Bi-G）或直（BI）引线的安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。这部分是符合RoHS标准的。
| 品牌 | 型号 | 货期 | 库存 |
| AMCOM | AM025WN-BI-R | 1周 | 50 |
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高达8 GHz的高频操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏极＝56% @ 3 GHz。
表面贴装
有效散热的底部
高动态接收机
蜂窝无线基站
宽带和窄带放大器
雷达
测试仪表
陆军
干扰机
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