第三代650 V裸片SiC MOSFET
发布时间：2025-01-03 16:57:39 浏览：1248
行业内超一流导通电阻和开关损耗，能够实现最佳性能和功率密度参数。
Wolfspeed根据第三代650 V SiC MOSFET增加了其碳化硅（SiC）技术上的主导地位。在更全面的电力系统中满足体型更小、重量更轻、更高效的电力转化。650 V SiC MOSFET是性能卓越工业电源、服务器/电信网络电源、新能源电动车（EV）充电装置、储能设备、应急电源（UPS）和电池管理系统等功能的最佳选择。
特征
低温环境的低导通电阻
低寄生电容
具备极低反向恢复的高效二极管
持续高温操控（Tj=175°C）
优势
通过调整开关和传输损耗提高设备效率
实现高开关频率操控
提高系统级功率密度参数
降低装置规格；重量；和冷却要求
典型应用
工业电源
服务器/电信网络
新能源充电桩装置
储能设备（ESS）
应急电源（UPS）
电池管理系统（BMS）
CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。
深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，信用保证原装正品。
*部分型号需申请美国出口许可。详情了解更多型号，欢迎咨询立维创展！
Product SKU | Blocking Voltage | RDS(ON) at 25°C | Current Rating | Gate Charge Total | Output Capacitance | Reverse Recovery Charge (Qrr) | Reverse Recovery Time (Trr) | Tjmax | Generation |
CPM3-0650-0015A | 650 V | 15 mΩ | 120 A | 190 nC | 290 pF | 510 nC | 22 ns | 175 °C | Gen 3 |
CPM3-0650-0045A | 650 V | 45 mΩ | 49 A | 63 nC | 100 pF | 247 nC | 13 ns | 175 °C | Gen 3 |
CPM3-0650-0060A | 650 V | 60 mΩ | 37 A | 46 nC | 80 pF | 151 nC | 11 ns | 175 °C | Gen 3 |
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