CMPA0060002D射频放大器CREE
发布时间：2024-12-02 17:14:36 浏览：1255
CMPA0060002D是一种带有氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比较，GaN具有更加优异的性能，包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si和GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还提供更高的功率密度和更宽的带宽。CMPA0060002D使用分布式（导波）放大器设计思路，能够在更小的占用面积内实现极宽的带宽。
特征
•17 dB小信号增益值
•2 W典型PSAT
•额定电压高达28V
•高击穿场强
•高温度使用
•尺寸0.169 x 0.066 x 0.004英寸
应用
•超宽带放大器
•光纤线驱动器
•测试设备
•EMC放大器驱动器
深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！
推荐资讯
-
Custom MMIC CMD253C3混频器选型：6～14GHz宽频段与高线性度应用分析 2026-11-09 16:50:46Custom MMIC CMD253C3是一款覆盖6～14GHz的高IP3双平衡基波混频器，具有DC～5GHz中频范围及较高端口隔离性能。本文分析其转换损耗、本振驱动、线性度及在雷达、卫星通信和射频测试设备中的选型要点。
-
AMCOM P3混频器选型：RF、LO与IF频率匹配及型号确认 2026-11-09 16:46:35AMCOM P3系列射频混频器如何选择？本文从RF与LO频率规划、中频输出、镜像频率及本振驱动要求出发，结合AM001209XD-P3、AM001513XD-P3等型号，分析实际变频电路中的选型与替换注意事项。