GTRB246608FC-V1高电子迁移率晶体管
发布时间：2024-11-20 16:51:18 浏览：942
GTRB246608FC-V1是CREE的一款500瓦（P4dB）的SiC上GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），致力于多标准蜂窝状功率放大器应用需求设计。GTRB246608FC-V1具备高效率和无轴环的热增强封装。
产品规格
阐述：高功率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz
最高频率（MHz）：2400
增益（dB）：15.7
封装类别：Earless
特征
典型脉冲CW性能，2400 MHz，48 V，10μs脉冲频率，10%占空比，组合输出
P4dB=600 W时的输出功率
P4dB=60%时的效率
深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！
推荐资讯
-
Qorvo QPA2597：2-6GHz GaN驱动放大器选型与参数确认 2026-09-22 16:48:05Qorvo QPA2597是一款2-6GHz GaN-on-SiC驱动放大器，24dB增益、32dBm输出、37% PAE，采用4×4mm QFN封装，适用于雷达、通信及电子战等射频前端。
-
RFCI SMA同轴环行器选型：RFCR系列通信频段型号与参数 2026-09-22 16:44:38RF Circulator Isolator, Inc.（RFCI）SMA连接器螺纹式同轴环行器通信频段系列，解析RFCR6176、RFCR6252、RFCR6353、RFCR6852、RFCR6962、RFCR6970等型号的频率、插损、隔离度、功率及选型要点。