GTRB226002FC-V1 S波段高功率RF GaN

发布时间：2024-11-12 17:06:41     浏览：1088

GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），应用在多标准蜂窝状功率放大器技术应用。GTRB226002FC-V1具备高效化和无轴环的热增强封装形式。

GTRB226002FC-V1.png

产品规格

阐述：SiC HEMT上的高功率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

最低频率（MHz）：2110

最高频率（MHz）：2200

P3dB输出功率（W）：450

增益值（dB）：15

效率（%）：60

特征

典型的脉冲CW性能：10μs脉冲宽度，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty夹具效率=65%

增益值=14dB

P3dB=450W时的输出功率

模特模型1B级（根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低热阻

无铅并满足RoHS标准

GaN基SiC HEMT技术

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: CHA8618-99F C,X,Ku,K波段高功率放大器

推荐资讯