GTRB226002FC-V1 S波段高功率RF GaN
发布时间：2024-11-12 17:06:41 浏览：1199
GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），应用在多标准蜂窝状功率放大器技术应用。GTRB226002FC-V1具备高效化和无轴环的热增强封装形式。
产品规格
阐述：SiC HEMT上的高功率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz
最低频率（MHz）：2110
最高频率（MHz）：2200
P3dB输出功率（W）：450
增益值（dB）：15
效率（%）：60
特征
典型的脉冲CW性能：10μs脉冲宽度，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty夹具效率=65%
增益值=14dB
P3dB=450W时的输出功率
模特模型1B级（根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
低热阻
无铅并满足RoHS标准
GaN基SiC HEMT技术
深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！
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