PXAE261908NF-V1 S波段高功率射频LDMOS FET
发布时间：2024-11-08 17:05:23 浏览：1245
PXAE261908NF-V1是CREE的一款240瓦（P3dB）LDMOS FET，适用于2515至2675 MHz频段的多标准蜂窝状功率放大器技术应用。PXAE261908NF-V1包含输入输出适配、高增益和带无耳法兰盘的热增强封装。PXAE261908NF-V1采用最新的LDMOS工艺技术，具有卓越的热稳定性和卓越的安全性能。
产品规格
阐述：高功率射频LDMOS FET240W，28 V，2515-2675 MHz
最低频率（MHz）：2515
最高频率（MHz）：2675
P3dB输出功率（W）：240
增益值（dB）：13.5
工作效率（%）：47
工作电压（V）：28
封装类型：塑料
封装：封装分立晶体管
技术应用：LDMOS
特征
典型的脉冲CW性能，2675 MHz，28 V输出功率，P1dB=51 W输出功率，P3dB=240 W增益值=11.8 dB工作效率=60%
集成化ESD保护
模特模型，2级（根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
低热导率
无铅并满足RoHS标准
深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！
推荐资讯
-
Custom MMIC CMD253C3混频器选型：6～14GHz宽频段与高线性度应用分析 2026-11-09 16:50:46Custom MMIC CMD253C3是一款覆盖6～14GHz的高IP3双平衡基波混频器，具有DC～5GHz中频范围及较高端口隔离性能。本文分析其转换损耗、本振驱动、线性度及在雷达、卫星通信和射频测试设备中的选型要点。
-
AMCOM P3混频器选型：RF、LO与IF频率匹配及型号确认 2026-11-09 16:46:35AMCOM P3系列射频混频器如何选择？本文从RF与LO频率规划、中频输出、镜像频率及本振驱动要求出发，结合AM001209XD-P3、AM001513XD-P3等型号，分析实际变频电路中的选型与替换注意事项。