NPT2018无线基础设施DC-3.5 GHz宽带晶体管

发布时间：2018-09-19 17:28:28 浏览：2033

氮化镓48V，12.5W，DC-3.5 GHz HEMT

NPT2018 GaN HEMT是一款针对DC-3.5 GHz工作优化的宽带晶体管。该器件设计用于连续波，脉冲和线性工作，输出功率为12.5W（41 dBm），采用工业标准表面贴装塑料封装。

品牌	型号	货期	库存
MACOM	NPT2018	1周	90

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特征
适用于线性和饱和应用
工业标准塑料包装
48V操作
可从DC-6 GHz调谐
高漏极效率（> 60％）

应用
航空航天与国防
航空电子学
国防通讯
主义
VHF / UHF / L / S波段雷达
无线基础设施

产品规格
电源电压：48 V.
PSAT：12.5瓦
增益：17.5 dB
测试频率：2.5 GHz
Theta JC：6.5 C / W.
最大频率：3,500 MHz
最小频率：0 MHz

MACOM是全球唯一一家用于射频应用的GaN on Si技术供应商。我们在Si RF功率晶体管产品上提供广泛的连续波（CW）GaN，作为分立器件和模块，设计工作在DC至6 GHz。我们的高功率CW和线性晶体管是民用航空电子设备，通信，网络，长脉冲雷达以及工业，科学和医疗应用的理想选择。我们的产品组合利用了MACOM超过60年的传统，即使用GaN on Si技术提供标准和定制解决方案，以满足客户最苛刻的需求。我们的GaN on Silicon产品，采用分立晶体管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工艺，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表现出优异的RF性能，

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