GTRB266502FC S波段高功率RF GaN基SiC放大器CREE

发布时间：2024-10-25 17:07:29 浏览：1009

CREE放大器GTRB266502FC是款630 W（P3dB）S波段高功率RF GaN基SiC放大器，致力于多标准蜂窝状电源应用需求设计。GTRB266502FC具备高效率和无环槽的热增强封装数据。

特征

•GaN on SiC技术

•输入输出适配

•不对称设计：

主：P3dB=297 W

最高值：P3dB=416W

•脉冲CW性能指标：2690 MHz，48 V，10µs脉冲宽度，10%pwm占空比，组合输出

•输出功率@P3dB=630 W

•P3dB时的效率=67%

•低热导率

•满足RoHS标准

应用

•蜂窝状电源

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: CHA4105-QDG S波段驱动放大器UMS