CGH35060P2晶体管CREE
发布时间：2024-08-27 09:21:16 浏览：1032
CREE CGH35060P2是一款专为高效率设计的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。这款晶体管具有高增益和宽带宽能力，特别适合在3.1至3.5 GHz的S波段进行脉冲放大器应用。它采用了陶瓷/金属法兰和药丸封装，确保了其在特定应用中的可靠性和稳定性。
主要特征：
操作频率范围：3.3至3.6 GHz
峰值功率能力：60W
小信号增益：12 dB
在8瓦输出时的误差向量幅度(EVM)：< 2.0%
在8瓦输出时的排水效率：25%
应用：WiMAX固定接入(802.16-2004 OFDM)和WiMAX移动接入(802.16e OFDMA)
技术规格：
零件编号：CGH35060P2
描述：60瓦，3100至3500兆赫，28V氮化镓HEMT
最小频率：3100 MHz
最大频率：3500 MHz
峰值输出功率：60W
增益：12.0 dB
效率：60%
工作电压：28V
封装形式：分立晶体管，法兰、丸
技术：GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)
CGH35060P2晶体管因其高效率和适用于高频操作的特性，在无线通信和雷达系统等高性能应用中表现出色。其氮化镓技术提供了优于传统硅基晶体管的性能，特别是在高温和高压环境下。
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