使用具有独立栅极偏压控制的并联晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强
发布时间：2018-09-06 15:19:40 浏览：2391
弗吉尼亚理工大学，弗吉尼亚州阿灵顿
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有独立栅极偏压控制的并联晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强。
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有独立栅极偏压控制的并联晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强。
GaN HEMT具有高输出功率密度和宽带宽下的高效率。但是GaN HEMT的线性度通常比GaAs器件的线性度差。本文提出了一种简单的方法来改善GaN HEMT的线性度。所提出的方法是将器件分成与独立控制的栅极偏置电压并联的多个子单元，然后对子单元输出进行功率组合。
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