CMPA5585025F射频放大器CREE
发布时间：2024-06-07 08:41:20 浏览：1508
CREE的CMPA5585025F是一款基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。相比硅或砷化镓，GaN具有更高的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT提供更高的功率密度和更宽的带宽。该MMIC采用10引线金属/陶瓷法兰封装，具有最佳的电气和热性能。
特性：
25db小信号增益
35w典型PSAT
工作高达28 V
高击穿电压
高温操作
尺寸1.00 x 0.385英寸
该射频放大器适用于点对点无线电、通信以及卫星通信上行等应用。
Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T₂=25G）：
| Parameter | 5.8 GHz | 6.4 GHz | 7.2 GHz | 7.9 GHz | 8.4 GHz | Units |
| Small Signal Gain | 29.5 | 24.0 | 24.0 | 24.0 | 22.0 | dB |
| Output Power¹ | 15 | 23 | 20 | 19 | 19 | W |
| Power Gain¹ | 21.7 | 19.5 | 17.2 | 18.5 | 18.6 | dB |
| Power Added Efficiency | 30 | 25 | 20.5 | 19 | 19.5 | % |
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