CGHV96050F1卫星通信氮化镓高电子迁移率晶体管CREE
发布时间：2024-01-18 16:53:30 浏览：1458
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓相比较，GaN具有更加优异的性能；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。与GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还推出更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96050F1使用金属/陶瓷法兰盘封装形式，能够实现最好电力设备和热稳定性。
特征
7.9–8.4GHz工作
80WPOUT（典型值）
>13dB功率增益值
33%典型线性PAE
50Ω内部搭配
<0.1dB功率降低
应用领域
卫星通讯
地面宽带
产品规格
描述：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；输入/输出搭配GaNHEMT
最低频率(MHz)：7900
最高频率(MHz)：8400
最高值输出功率(W)：50
增益值(dB)：13.0
效率（％）：33
额定电压(V)：40
形式：封装形式分立晶体管
封装形式类别：法兰盘
技术应用：GaN-on-SiC
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