CHA3666-FAB C/X/Ku波段低噪声放大器UMS
发布时间：2024-01-08 17:04:53 浏览：1179
CHA3666-FAB是种二级自偏置宽带单片低噪声放大器。
CHA3666-FAB采用高精度PHEMT工艺技术：0.25um栅极尺寸，横穿基板的通孔，空气桥电子束栅极光刻技术。
CHA3666-FAB推荐使用无导线表面贴装技术密封性金属陶瓷6x6mm封装，整体性电源为4V/80MA。
CHA3666-FAB常用于空间技术应用，特别适合各种各样微波和毫米波应用与体系。
主要特征
宽带性能6-16GHZ
1.8db典型相位噪声
24dbm3e交易截取点
缩减1db时的16dbm功率
21db增益值
低直流电功能损耗
6x6mm金属陶瓷密封包装
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