新型混频器MMIC如何利用GaN实现卓越的线性度
发布时间：2018-08-03 16:28:24 浏览：3023
CUSTOM MMIC很自豪地宣布一项新的技术简报，阐明了我们在使用GaN技术的无源MMIC混频器达到令人难以置信的线性极限时所取得的进步。
在过去的一年里，Custom MMIC的混频器专家一直在探索使用氮化镓（GaN）工艺作为极线性RF混频器的基础。推断GaN功率放大器的高线性性能可能会交叉到其他关键的微波元件，定制MMIC工程师已经与我们的几个主要代工合作伙伴进行了多次GaN混频器技术和类型的迭代。
在过去的一年里，Custom MMIC的混频器专家一直在探索使用氮化镓（GaN）工艺作为极线性RF混频器的基础。推断GaN功率放大器的高线性性能可能会交叉到其他关键的微波元件，定制MMIC工程师已经与我们的几个主要代工合作伙伴进行了多次GaN混频器技术和类型的迭代。
最终，他们努力的成果导致无源GaN混频器设计在输入三阶交调截点（IIP3）与本地振荡器（LO）驱动器的比率方面超过所有砷化镓（GaAs）无源混频器设计 - a品质因数定制MMIC正在创造线性效率。从S波段到K波段（2 GHz到19 GHz），这些新型无源GaN混频器展示的IIP3数字远高于30 dBm，LO驱动电平约为20 dBm，线性效率高于10 dB。
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