两个新的GaAs高IP3 I / Q混频器MMIC
发布时间：2018-07-30 14:45:45 浏览：2707
我们CUSTOM MMIC很高兴地宣布，我们已经为我们的产品系列增加了两个新的GaAs高IP3 I / Q混频器MMIC，涵盖C和X波段，CMD257C4和CMD258C4。这些新型混频器具有宽IF带宽和出色的镜像抑制能力，极其紧凑的4x4 SMT封装，与混合式镜像抑制混频器和单边带上变频器组件相比，可节省成本。
所述CMD257C4提供从DC宽IF带宽至3.5千兆赫，和从6 1GHz至10GHz的RF LO带宽。该混频器具有出色的31 dB镜像抑制能力和5.2 dB的低转换损耗。
所述CMD258C4还提供了一个极好的镜像抑制29分贝，5.5分贝低转换损耗。该混频器RF LO范围还涵盖从7.5 GHz到13 GHz的C波段和X波段频率，具有DC至3.5 GHz的宽IF带宽。
CMD257C4和CMD258C4均可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器，由两个双平衡混频器单元和90度混合器组成。需要外部IF混合来完成镜像抑制。这些MMIC混频器采用无引脚表面贴装封装，设计工作在-40°C至85°C的规格范围内。
所述CMD257C4提供从DC宽IF带宽至3.5千兆赫，和从6 1GHz至10GHz的RF LO带宽。该混频器具有出色的31 dB镜像抑制能力和5.2 dB的低转换损耗。
所述CMD258C4还提供了一个极好的镜像抑制29分贝，5.5分贝低转换损耗。该混频器RF LO范围还涵盖从7.5 GHz到13 GHz的C波段和X波段频率，具有DC至3.5 GHz的宽IF带宽。
CMD257C4和CMD258C4均可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器，由两个双平衡混频器单元和90度混合器组成。需要外部IF混合来完成镜像抑制。这些MMIC混频器采用无引脚表面贴装封装，设计工作在-40°C至85°C的规格范围内。
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