C波段氮化镓 HEMT放大器CGHV1F025 CREE
发布时间：2022-08-17 16:53:17 浏览：1378
Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化镓(GaN);高电子迁移率晶体管(HEMTs)设计的高效率;高增益和宽频带性能。CGHV1F025适合于L、S、C、X和KU波段放大器技术应用。数据规格基于x波段(8.9-9.6GHz)放大器。
CGHV1F025S运作在40伏铁路道岔上，封装在3mmx4mm;表面安装;双扁平无导线(DFN)封装。减少了功率;CGHV1F025可以从40V至20VVDD电压下运行;保持高增益和高效率。
特征
高达15GHz的操控
25W典型输出功率
9.4GHz时11dB增益值
8.9–9.6GHz的技术应用电路
应用
L;S;C;X 和Ku波段放大器
CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。
深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV1F025S-AMP1 | GaN on SiC | 8.9 GHz | 9.6 GHz | 25 W | 11 dB | 51% | 40 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGHV1F025S | GaN on SiC | DC | 15 GHz | 25 W | 11 dB | 51% | 40 V | Packaged Discrete Transistor | Surface Mount |
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