C波段CGHV1J006D-GP4 GaN HEMT芯片CREE
发布时间：2022-07-20 16:36:43 浏览：1323
CREE的CGHV1J006D是碳化硅衬底里的高压氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；采用0.25-μm栅极尺寸的工艺技术。CGHV1J006D的GaN-on-SiC产品提供优质的高频率、高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特别适合在40V和高击穿电压下作业在10MHz至18GHz的各种技术应用。
特征
17dB典型。10GHz时的小信号增益值
60%典型值。10GHz时的PAE
6W典型Psat
40伏操控
高至18GHz的操控
应用
卫星通讯
PTP通讯连接
海域雷达
游艇雷达
海港船舶交通服务
宽带放大器
高效率放大器
CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。
深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV1J006D-GP4 | GaN on SiC | DC | 18 GHz | 6 W | 17 dB | 60% | 40 V | Discrete Bare Die | Die |
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