QORVO分立晶体管GAAS PHEMT
发布时间：2022-02-08 17:14:25 浏览：1972
Qorvo采用我们最先进的超低噪声0.15µm pHEMT和0.25µm E-pHEMT工艺技术提供多种多样的分立晶体管组件。QORVO分立晶体管GAAS PHEMT接受用户在设计低噪声放大器(LNA)电源电路时完全控制。各类分立FET提供低至0.15dB的NF（最小值），最高可采用22GHz。还提供匹配晶体管，特别适合平衡LNA设计。
主要特点
超低噪声系数——低至0.15dBNF（最小值）
提供裸片或封装形式
应用领域
通信基站
国防通讯
点对点(PtP)无线电
深圳市立维创展科技是QORVO的经销商，主要提供QORVO功率放大器， IC和裸芯片，立维创展拥有稳定的供应渠道，价格优势，并大量备有现货库存，欢迎咨询。
Part # | Frequency Min | Frequency Max | Type | Gain | OP1dB | Psat | NF | PAE | Vd | Idq |
QPD2018D | DC | 20,000 | 14 | 22 | 22 | 1 | 55 | 8 | 29 | |
QPD2025D | DC | 20,000 | 14 | 24 | 24 | 0.9 | 58 | 8 | 40 | |
QPD2040D | DC | 20,000 | 13 | 26 | 26 | 1.1 | 55 | 8 | 65 | |
QPD2060D | DC | 20,000 | 12 | 28 | 28 | 1.4 | 55 | 8 | 97 | |
QPD2080D | DC | 20,000 | 11.5 | 29.5 | 29.5 | 1 | 56 | 8 | 130 | |
QPD2120D | DC | 20,000 | 11 | 31 | 31 | 1 | 57 | 8 | 194 | |
QPD2160D | DC | 20,000 | 10.4 | 32.5 | 32.5 | 1 | 63 | 8 | 258 | |
TQP3M6005 | 1,700 | 2,000 | 17.9 | 21.6 | 0.36 | 4.5 | 50 |
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