TGF2023-2-20分立晶体管SiC HEMT上100瓦离散功率GaN Triquint现货代理商
发布时间：2018-05-31 17:04:39 浏览：7930
Qorvo的TGF2023-2-20是SiCHEMT上的离散20 mm GaN，工作频率从DC到14 GHz。
通常，TGF2023-2-20在3 GHz时提供50.5 dBm的饱和输出功率，功率增益为19.2 dB。最大功率附加效率为70.5％，这使得TGF2023-2-20适用于高效应用。
该产品无铅且符合RoHS标准。
品牌
型号
描述
货期
库存
TriQuint
TGF2023-2-20
频率范围：DC至14 GHz,19.2 dB额定功率增益
现货
36
TGF2023-2-20主要特征
- 频率范围：DC至14 GHz
- 3 GHz时标称Psat为50.5 dBm
- 最大PAE为70.5％
- 19.2 dB额定功率增益
- 偏压：Vd = 12至32 V，Idq = 400 - 2000 mA
- 芯片尺寸：0.82×4.56×0.10mm
TGF2023-2-20典型应用
- 宽带无线
- 军事
- 空间
| 频率最小值（MHz） | DC |
| 最大频率（MHz） | 14000 |
| 增益（dB） | 19.2 |
| Psat （dBm） | 50.5 |
| PAE （％） | 70.5 |
| VD （V） | 12至32 |
| Idq （mA） | 400至2,000 |
| 包装类型 | 封装 |
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