AMCOM射频晶体管GaAs FET
发布时间：2020-09-15 15:12:31 浏览：2254
AMCOM砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)是一种专门用于高频、超高频和微波射频放大电路的场效应晶体管。AMCOM射频晶体管GaAs FET的频率范围跨越电磁辐射谱，从30 MHz到红外波段。AMCOM射频晶体管GaAs FET以其灵敏度而闻名，而GaAs FET产生的内部噪声很小。这主要是由于GaAs具有很强的载流子迁移率。电子可以轻易、快速地穿过半导体材料。AMCOM射频晶体管GaAs FET是一种耗尽器件，这意味着当控制电极没有电压时，它会导电，当栅极有电压时，沟道电导率会降低。
在弱信号无线通信和广播接收方面，AMCOMRF晶体管GaAs FET的性能优于大多数其他类型的场效应晶体管。一些类型的GaAs FET也用于射频功率放大器。GaAs FET也用于宇宙通信、射电天文学和无线电爱好者所做的实验。
AMCOM射频晶体管GaAs FET具有良好的线性度。
深圳市立维创展科技是AMCOM经销商，专业提供AMCOM产品系列包括：射频晶体管、MMIC功率放大器、混合放大器模块、宽带放大器、高功率放大器模块、带RF和DC连接器的高功率放大器模块和低噪声放大器，功率放大器，开关，衰减器，移相器以及上/下边变频器的定制等，产品原装进口，质量保证，欢迎咨询。
模型 | 频率（GHz） | 最大频率（GHz） | 增益（dB） | P1分贝（dBm） | IP3（dBm） | 偏差（V） |
AM010MH4-BI-R | 直流电 | 3 | 19 | 31 | 46 | -28 |
AM030MH4-BI-R | 直流电 | 3 | 19 | 36 | 49 | -28 |
AM006MX-QG-R | 直流电 | 6 | 13 | 22 | 34 | -5 |
AM012MX-QG-R | 直流电 | 6 | 13.5 | 25 | 37 | -5 |
AM024MX-QG-R | 直流电 | 6 | 13 | 28 | 39 | -5 |
AM036MX-QG-R | 直流电 | 6 | 12 | 29.5 | 42 | -5 |
AM048MX-QG-R | 直流电 | 6 | 11 | 31 | 43 | -5 |
AM072MX-CU-R | 直流电 | 6 | 11 | 34 | 46 | -7 |
AM100MX-CU-R | 直流电 | 6 | 10 | 35 | 48 | -7 |
AM150MX-CU-R | 直流电 | 6 | 10 | 36.5 | 50 | -7 |
AM200MX-CU-R | 直流电 | 6 | 10 | 38 | 48 | -7 |
AM300MX-CU-R | 直流电 | 6 | 9 | 39.5 | 51 | -7 |
AM005MH2-BI-R | 直流电 | 6 | 15 | 25 | 40 | -14 |
AM010MH2-BI-R | 直流电 | 6 | 15 | 28 | 43 | -14 |
AM032MH4-BI-R | 直流电 | 6 | 19 | 36 | 49 | -28 |
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