AMCOM离散功率GaN HEMT射频晶体管
发布时间：2020-08-27 16:10:31 浏览：2884
AMCOM是全球半导体微波设计领先企业，是机器设备/MMIC封装，功能模块组装和RF/DC检测领域的专家，AMCOM的产品涵盖功率FET，MMIC功率放大器及其带有rf射频和直流电连接器的高功率放大器功能模块。AMCOM离散功率GaNHEMT射频晶体管具备优秀的线形和宽带优势，而且能充分发挥更好的高功率高密度和输出效率。
GaN是一种非常稳定的化合物，具有很强的原子键、高的热导率、最高的电离度和良好的化学稳定性，这使得GaN器件比Si和GaAs具有更强的抗辐射能力。同时，GaN是一种高熔点、高导热性的材料。GaN功率器件通常以SiC为衬底，具有较好的热导率，因此GaN功率器件具有较高的结温和高温工作能力。
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)已成为5G大型基站功率放大器的主流候选技术，由于其固有的高击穿电压、高功率密度、大带宽和高效率，已成为5 G基站首选半导体技术。
深圳市立维创展科技是AMCOM经销商，专业提供AMCOM产品系列包括：射频晶体管、MMIC功率放大器、混合放大器模块、宽带放大器、高功率放大器模块、带RF和DC连接器的高功率放大器模块和低噪声放大器，功率放大器，开关，衰减器，移相器以及上/下边变频器的定制等，产品原装进口，质量保证，欢迎咨询。
离散功率GaN HEMT
模型 | 频率（GHz） | 最大频率（GHz） | 增益（dB） | P1分贝（dBm） | 峰值（dBm） | 偏差（V） |
AM050WN-CU-R | 直流电 | 6 | 16.5 | 41.7 | 43 | -14 |
AM100WN-CU-R | 直流电 | 6 | 14 | 44.5 | 46 | -14 |
AM025WN-BI-R | 直流电 | 8 | 16 | 38.9 | 40 | -14 |
AM012WN-BI-R | 直流电 | 10 | 17 | 36.1 | 37 | -14 |
AM005WN-BI-R | 直流电 | 12 | 15 | 32 | 33.5 | -14 |
AM012WN-00-R | 直流电 | 15 | 22 | 36.1 | 37.7 | -14 |
AM025WN-00-R | 直流电 | 15 | 21 | 38.9 | 40.5 | -14 |
AM050WN-00-R | 直流电 | 15 | 20 | 41.7 | 43.3 | -14 |
AM100WN-00-R | 直流电 | 15 | 19 | 44.5 | 46.1 | -14 |
AM005WN-00-R | 直流电 | 18 | 23 | 32 | 33.4 | -14 |
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