CREE射频微波在航空航天和国防领域的应用

发布时间：2020-08-06 15:32:36 浏览：3288

CREE 微波公司从最初的GaN基板LED产品引领世界，发展到微波和毫米波芯片产品，2017年分离出微波品牌WolfSpeer，以宽带和大功率放大器产品为特色。

经过几十年的发展，CREE微波旗下的WolfSpeer公司推动了射频技术的发展，它已成为商业和军事航空、空中交通管制、气象服务、飞机对卫星通信、空间探索等领域的无线通信和雷达系统的骨干。

CREE公司的创新，包括在基于SiC的GaN研究和开发方面的突破，完全集成的设计支持，以及自定义组装，都有助于WolfSpeer继续为客户提供在尺寸、重量和功率方面具有显著优势的解决方案。作为您完整的RF系统设计伙伴，Cree在SiC(封装和裸模式)和LDMOS器件上提供了广泛的GaN产品组合。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，凭借CREE微波设备的优势供应渠道，长期备有库存，以满足中国市场的需求，欢迎咨询。

详情了解CREE射频微波请点击：/brand/35.html

*部分型号需申请美国出口许可。

产品SKU	技术	频率（最小值）	频率（最大）	峰值输出功率	获得	效率	工作电压

CGH60008D-GP4	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	8W	> 12分贝	65%	28伏
CGH60015D-GP4	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	15瓦	> 12分贝	65%	28伏
CGH60030D-GP4	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	30瓦	> 12分贝	65%	28伏
CGH60060D-GP4	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	60瓦	> 12分贝	65%	28伏
CGH60120D-GP4	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	120瓦	> 12分贝	65%	28伏
CMPA0060002D	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	2W	17分贝	30%	28伏
CMPA0060025D	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	25瓦	18分贝	33%	50伏
CMPA2560025D	SiC上的GaN	2.5 GHz	6 GHz	25瓦	24分贝	31%	28伏
CMPA601C025D	SiC上的GaN	6 GHz	12 GHz	25瓦	32分贝	32%	28伏
CGH40006P	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	6瓦	> 11分贝	65%	28伏
CGH40006S	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	6瓦	> 11分贝	65%	28伏
CGH40010F	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	10瓦	> 14分贝	65%	28伏
CG2H40025F	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	25瓦	> 15分贝	62%	28伏
CGH40035F	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	35瓦	> 13分贝	60%	28伏
CGH40045F	SiC上的GaN	直流电	4 GHz的	45瓦	> 12分贝	55%	28伏
CGH40090PP	SiC上的GaN	直流电	4 GHz的	90瓦	> 14分贝	55.00%	28伏
CGH40120F	SiC上的GaN	直流电	3 GHz的	120瓦	> 15分贝	70%	28伏
CGH40120P	SiC上的GaN	直流电	3 GHz的	120瓦	> 15分贝	70%	28伏
CGH40180PP	SiC上的GaN	直流电	3 GHz的	180瓦	> 15分贝	70%	28伏
CMPA0060002F	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	2W	17分贝	23%	28伏
CMPA0060025F	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	25瓦	17分贝	28%	50伏
CMPA2560025F	SiC上的GaN	2.5 GHz	6 GHz	25瓦	24分贝	31%	28伏
CMPA601C025F	SiC上的GaN	6 GHz	12 GHz	25瓦	33分贝	32%	28伏
CGHV1J006D-GP4	SiC上的GaN	直流电	18 GHz	6瓦	17分贝	60%	40伏
CGHV1J025D-GP4	SiC上的GaN	直流电	18 GHz	25瓦	17分贝	60%	40伏
CGHV1J070D-GP4	SiC上的GaN	直流电	18 GHz	70瓦	17分贝	60%	40伏
CGHV1F006S	SiC上的GaN	直流电	15 GHz	6瓦	> 7分贝	52%	40伏
CGHV1F025S	SiC上的GaN	直流电	15 GHz	25瓦	11分贝	51%	40伏
CGHV40320D-GP4	SiC上的GaN	直流电	4 GHz的	320瓦	19分贝	65%	50伏
CGHV60040D-GP4	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	40瓦	> 7分贝	65%	50伏
CGHV60075D5-GP4	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	75瓦	> 7分贝	65%	50伏
CGHV60170D-GP4	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	170瓦	> 7分贝	65%	50伏
CGHV27060MP	SiC上的GaN	直流电	2.7 GHz	60瓦	16.5分贝	64%	50伏
CGHV35060MP	SiC上的GaN	2.7 GHz	3.8 GHz	60瓦	14.5分贝	67%	50伏
CGHV40030F	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	30瓦	16分贝	70%	50伏
CGHV40050F	SiC上的GaN	直流电	4 GHz的	50瓦	16分贝	53%	50伏
CGHV40100F	SiC上的GaN	直流电	3 GHz的	100瓦	17.5分贝	55%	50伏
CGH09120F	SiC上的GaN	直流电	2.5 GHz	120瓦	21分贝	35%	28伏
CGH21120F	SiC上的GaN	1.8 GHz	2.3 GHz	120瓦	15分贝	35%	28伏
CGH21240F	SiC上的GaN	1.8 GHz	2.3 GHz	240瓦	15分贝	33%	28伏
CGH25120F	SiC上的GaN	2.5 GHz	2.7 GHz	120瓦	> 7分贝	30%	28伏
CGH27015F	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	15瓦	14.5分贝	28%	28伏
CGH27030F	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	30瓦	15分贝	28%	28伏
CGH27030S	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	30瓦	18分贝	33%	28伏
CGH27060F	SiC上的GaN	直流电	4 GHz的	60瓦	14分贝	27%	28伏
CGH35015F	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	15瓦	12分贝		28伏
CGH35030F	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	30瓦	12分贝	25%	28伏
CGH35060F1	SiC上的GaN	3.3 GHz	3.6 GHz	60瓦	12分贝	25%	28伏
CGH55015F1	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	15瓦	> 10.5分贝	25%	28伏
CGH55030F1	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	30瓦	10分贝	25%	28伏
CGHV27015S	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	15瓦	21分贝	32%	50伏
CGHV27030S	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	30瓦	21分贝	32%	50伏
CMPA2735075D	SiC上的GaN	2.7 GHz	3.5 GHz	75瓦	28分贝	61%	28伏
CMPA801B025D	SiC上的GaN	8 GHz	11 GHz	25瓦	28分贝	45%	28伏
CGH31240F	SiC上的GaN	2.7 GHz	3.1 GHz	240瓦	12分贝	60%	28伏
CGH35060F2	SiC上的GaN	3.1 GHz	3.5 GHz	60瓦	12分贝	60%	28伏
CGH35240F	GaN on SiC	3.1 GHz	3.5 GHz	240W	11.6 dB	57%	28 V
CGH55015F2	GaN on SiC	DC	6 GHz	10W	12 dB	60%	28 V
CGH55030F2	GaN on SiC	DC	6 GHz	25W	12 dB	60%	28 V
CGHV14250F	GaN on SiC	1.2 GHz	1.4 GHz	250W	18 dB	77%	50 V
CGHV14500F	GaN on SiC	1.2 GHz	1.4 GHz	500W	16 dB	68%	50 V
CGHV31500F	GaN on SiC	2.7 GHz	3.1 GHz	500W	12.75 dB	60%	50 V
CGHV35150F	GaN on SiC	2.9 GHz	3.5 GHz	150W	13.5 dB	50%	50 V
CGHV35400F	GaN on SiC	2.9 GHz	3.5 GHz	400W	11 dB	60%	50 V
CGHV59350F	GaN on SiC	5.2 GHz	5.9 GHz	350W	11 dB	55%	50 V
CGHV96100F2	GaN on SiC	7.9 GHz	9.6 GHz	100W	10 dB	45%	40 V
CMPA2735075F	GaN on SiC	2.7 GHz	3.5 GHz	75W	27 dB	54%	28 V
CMPA801B025F	GaN on SiC	8 GHz	11 GHz	25W	16 dB	36%	28 V
CMPA1D1E030D	GaN on SiC	13.75 GHz	14.5 GHz	30W	26 dB	25%	40 V
CGHV50200F	GaN on SiC	4.4 GHz	5 GHz	200W	11.5 dB	33%	40 V
CGHV96050F1	GaN on SiC	7.9 GHz	8.4 GHz	50W	>13 dB	33%	40 V
CMPA1D1E025F	GaN on SiC	13.5 GHz	14.5 GHz	25W	26 dB	16%	40 V
CGHV96050F2	GaN on SiC	7.9 GHz	9.6 GHz	50W	10 dB	55%	40 V
CG2H80030D-GP4	GaN on SiC	DC	8 GHz	30W	16.5 dB	65%	28 V
CGHV14800F	GaN on SiC	1.2 GHz	1.4 GHz	800W	16 dB	65%	50 V
CGHV59070F	GaN on SiC	4.5 GHz	5.9 GHz	70W	12 dB	50%	50 V
CMPA1C1D060D	GaN on SiC	12.7 GHz	13.25 GHz	65W	26 dB	30%	40 V
CMPA5585030F	GaN on SiC	5.5 GHz	8.5 GHz	30W	25 dB	30%	28 V
CMPA2735015S	GaN on SiC	2.7 GHz	3.5 GHz	15W	33 dB	50%	50 V
CMPA2735015D	GaN on SiC	2.7 GHz	3.5 GHz	15W	32 dB	45%	50 V
CMPA2735030D	GaN on SiC	2.7 GHz	3.5 GHz	30W	30 dB	45%	50 V
CG2H40010F	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	10瓦	> 16分贝	65%	28伏
CG2H40045F	SiC上的GaN	直流电	4 GHz的	45瓦	> 14分贝	55%	28伏
CGH40025F	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	25瓦	> 13分贝	62%	28伏
CGHV40200PP	SiC上的GaN	直流电	2 GHz	250瓦	21分贝	75%	50伏
CG2H80015D-GP4	SiC上的GaN	直流电	8 GHz	15瓦	> 12分贝	70%	28伏
CG2H80060D-GP4	SiC上的GaN	直流电	8 GHz	60瓦	> 12分贝	70%	28伏
CMPA5585030D	SiC上的GaN	5.5 GHz	8.5 GHz	30瓦	30分贝	44%	28伏
CG2H30070F	SiC上的GaN	0.5 GHz	3 GHz的	80瓦	15分贝	55%	28伏
CGHV40180P	SiC上的GaN	直流电	2 GHz	200瓦	24分贝	70%	28 V / 50 V
GTVA104001FA-V1	SiC上的GaN	0.96 GHz	1.215 GHz	400瓦	19分贝	70%	50伏
GTVA123501FA-V1	SiC上的GaN	1.2 GHz	1.4 GHz	350瓦	18分贝	71%	50伏
GTVA101K42EV-V1	SiC上的GaN	0.96 GHz	1.215 GHz	1400瓦	17分贝	68%	50伏
GTVA311801FA-V1	SiC上的GaN	2.7 GHz	3.1 GHz	180瓦	15分贝	70%	50伏
GTVA107001EFC-V1	SiC上的GaN	0.96 GHz	1.215 GHz	700瓦	20分贝	70%	50伏
GTVA355001	SiC上的GaN	2.9 GHz	3.5 GHz	500瓦	> 7分贝	65%	50伏
CGHV37400F	SiC上的GaN	3.3 GHz	3.7 GHz	550瓦	14分贝	55%	48伏
PTVA030121EA-V1	LDMOS	0.39 GHz	0.45 GHz	12瓦	25分贝	69%	50伏
PTVA035002EV-V1	LDMOS	0.39 GHz	0.45 GHz	450瓦	18分贝	64%	50伏
PTVA101K02EV-V1	LDMOS	1.03 GHz	1.09 GHz	900瓦	18分贝	65%	50伏
PTVA102001EA-V1	LDMOS	0.96 GHz	1.6 GHz	200瓦	18.5分贝	60%	50伏
PTVA104501EH-V1	LDMOS	0.96 GHz	1.215 GHz	450瓦	17.5分贝	58%	50伏
PTVA120251EA-V2	LDMOS	0.5 GHz	1.4 GHz	25瓦	18分贝	54%	50伏
PTVA120501EA-V1	LDMOS	1.2 GHz	1.4 GHz	50瓦	17分贝	50%	50伏
PTVA123501EC-V2	LDMOS	1.2 GHz	1.4 GHz	350瓦	17分贝	55%	50伏
PTVA123501FC-V1	LDMOS	1.2 GHz	1.4 GHz	350瓦	17分贝	55%	50伏
PTVA127002EV-V1	LDMOS	1.2 GHz	1.4 GHz	700瓦	16分贝	56%	50伏
PTVA047002EV-V1	LDMOS	0.47 GHz	0.806 GHz	700瓦	17.5分贝	29%	50伏
CMPA5259025F	SiC上的GaN	5.2 GHz	5.9 GHz	37瓦	32分贝	50%	28伏
CMPA5259050F	SiC上的GaN	5.2 GHz	5.9 GHz	50瓦	30分贝	54%	28伏
CMPA0527005F	SiC上的GaN	1.2 GHz	1.4 GHz	5瓦	20分贝	47%	50伏
CGHV35120F	SiC上的GaN	3.1 GHz	3.5 GHz	120瓦	> 7分贝	62%	50伏
CMPA901A035F	SiC上的GaN	9 GHz	10 GHz	40瓦	34分贝	35%	28伏
CMPA1D1E080F	SiC上的GaN	13.75 GHz	14.5 GHz	80瓦	28分贝	20%	40伏
CG2H40120F	SiC上的GaN	直流电	2.5 GHz	130瓦	20分贝	70%	28伏
CMPA2060035F	SiC上的GaN	2 GHz	6 GHz	35瓦	27分贝	35%	28伏
CG2H80120D-GP4	SiC上的GaN	直流电	8 GHz	120瓦	> 12分贝	65%	28伏
CMPA601J025D	GaN on SiC	6 GHz	18 GHz	25W	30 dB	27%	22 V
CG2H80045D-GP4	GaN on SiC	DC	8 GHz	45W	15 dB	65%	28 V
CG2H40035F	GaN on SiC	DC	6 GHz	35W	14 dB	64%	28 V
CMPA2060035D	GaN on SiC	2 GHz	6 GHz	35W	29 dB	42%	28 V
CMPA2735075F1	GaN on SiC	2.7 GHz	3.5 GHz	75W	29 dB	57%	28 V
CMPA801B030D	GaN on SiC	8 GHz	11 GHz	30W	28 dB	42%	28 V
CMPA801B030F	GaN on SiC	8 GHz	11 GHz	30W	16 dB	36%	28 V
CMPA2738060F	GaN on SiC	2.7 GHz	3.8 GHz	60W	34 dB	54%	50 V
CMPA0060025F1	GaN on SiC	DC	6 GHz	25瓦	17分贝	28%	50伏
CMPA0060002F1	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	2W	18分贝	25%	28伏
CGHV1F006S-AMP1	SiC上的GaN	5.85 GHz	7.2 GHz	6瓦	> 7分贝	不适用	40伏
CGHV1F006S-AMP3	SiC上的GaN	8.5 GHz	9.6 GHz	6瓦	> 7分贝	不适用	40伏
CGH55015P2	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	10瓦	12分贝	60%	28伏
CGH55015F2-AMP	SiC上的GaN	5.4 GHz	5.9 GHz	10瓦	12分贝	不适用	28伏
CGH40010P	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	10瓦	> 14分贝	65%	28伏
CGH40010F-AMP	SiC上的GaN	3.5 GHz	3.9 GHz	10瓦	> 14分贝	不适用	28伏
CG2H40025P	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	25瓦	> 15分贝	64%	28伏
CG2H40025F-AMP	SiC上的GaN	3.4 GHz	3.8 GHz	25瓦	> 15分贝	不适用	28伏
CG2H30070F-AMP2	SiC上的GaN	0.5 GHz	3 GHz的	80瓦	15分贝	不适用	28伏
CG2H40010F-AMP	SiC上的GaN	3.5 GHz	3.9 GHz	10瓦	> 16分贝	不适用	28伏
CG2H40010P	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	10瓦	> 16分贝	65%	28伏
CG2H40035F-AMP	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	35瓦	14分贝	不适用	28伏
CG2H40035P	SiC上的GaN	直流电	6 GHz	35瓦	14分贝	64%	28伏
CGHV96100F2-AMP	SiC上的GaN	7.9 GHz	9.6 GHz	100瓦	10分贝	不适用	40伏
CGHV96050F2-AMP	SiC上的GaN	8.4 GHz	9.6 GHz	50瓦	10分贝	不适用	40伏
CGHV27030S-AMP1	SiC上的GaN	2.5 GHz	2.7 GHz	30瓦	21分贝	不适用	50伏
CGHV27030S-AMP2	SiC上的GaN	2.5 GHz	2.7 GHz	30瓦	21分贝	不适用	28伏
CGHV27030S-AMP3	SiC上的GaN	1.8 GHz	2.2 GHz	30瓦	21分贝	不适用	28伏
CGHV27030S-AMP4	SiC上的GaN	1.8 GHz	2.2 GHz	30瓦	21分贝	不适用	50伏
CGHV27030S-AMP5	SiC上的GaN	1.2 GHz	1.4 GHz	30瓦	21分贝	不适用	50伏
CG2H40045P	SiC上的GaN	直流电	4 GHz的	45瓦	> 14分贝	55%	28伏

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: UMS功率放大器有哪些类型？