JP503AS低剖面，高性能3dB混合耦合器原装库存

发布时间：2020-04-01 08:51:37     浏览：2303

JP503AS是一个低剖面，高性能的3dB混合耦合器在一个易于使用，制造友好的表面安装包。它是为W-CDMA和其他3G应用而设计的。JP503AS是为平衡放大器、可变移相器和衰减器、低噪声放大器、信号分配而设计的，是无线工业日益增长的小型印刷电路板和高性能需求的理想解决方案。零件经过严格的鉴定测试，并使用热膨胀系数（CTE）与常见基板（如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亚胺）兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS标准的浸锡处理。

JP503AS低剖面，高性能3dB混合耦合器原装库存

JP503AS特征：

2.0–2.3千兆赫。

3G频率

低损耗

高隔离度

90°正交

表面贴装

磁带和卷盘

无铅

100%测试

JP503AS重要参数

频率（GHZ）：2.0 - 2.3

功率（W）：25

回波损耗（dB）：20.8

插入损耗（dB）：0.30

深圳市立维创展科技有限公司是Anaren品牌的代理经销商，主要提供贴片混合耦合器、巴伦变压器、延迟线、定向耦合器、Doherty合路器、功分器、微蜂窝型耦合器、 RF Crossovers产品，产品原装库存，极具价格优势，欢迎咨询

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