CGHV1J006D高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管 现货
发布时间：2019-02-22 14:16:56 浏览：2152
6W，18.0GHz，GaN HEMT管芯
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SKU：CGHV1J006D
Wolfspeed的CGHV1J006D是一种采用0.25μm栅极长度制造工艺的碳化硅衬底上的高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN-on-SiC产品具有出色的高频，高效特性。它适用于工作频率范围为10 MHz至18 GHz，40 V且具有高击穿电压的各种应用。
特征
- 高达18 GHz的操作
| 品牌 | 型号 | 货期 | 库存 |
| CREE | CGHV1J006D | 1周 | 200 |
| 峰值输出功率 | 6W | |
|---|---|---|
| 应用 | 通用宽带，40 V | |
| 典型的功率附加效率PAE | 60％@ 10 GHz | |
| 典型功率（PSAT） | 6瓦 | |
| 工作电压 | 40 V | |
| 频率 | DC - 18.0 GHz | |
| 包装类型 | 死 | |
| 小信号增益 | 17 dB @ 10 GHz | |
示意图
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