CGHV96050F2碳化硅高电子迁移率晶体管 代理现货
发布时间：2019-02-22 10:22:17 浏览：2192
50 W，7.9 - 9.6 GHz，50欧姆，输入/输出匹配GaN HEMT
Wolfspeed的CGHV96050F2是碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种GaN内部匹配（IM）FET具有出色的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，GaN具有优异的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的导热率。与GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该IM FET采用金属/陶瓷法兰封装，具有最佳的电气和热性能。
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品牌
型号
货期
库存
CREE
CGHV96050F2
1周
300
特征
- 80 W POUT典型值
| 峰值输出功率 | 50W | |
|---|---|---|
| 应用 | L波段/ S波段/ X波段/ C波段/ Ku波段 | |
| 典型的功率附加效率PAE | 55％ | |
| 典型功率（PSAT） | 80瓦 | |
| 功率增益 | 10分贝 | |
| 工作电压 | 40 V | |
| 频率 | 7.9 - 9.6 GHz | |
| 包装类型 | 轮缘 | |
| 内部匹配 | 是 - 50Ω | |
示意图
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