AM012WN-BI-R是一种分立的GaN/SiC HEMT，其栅极总宽度为1.25毫米。它是在一个陶瓷双包操作高达10千兆赫。BI系列采用特殊设计的陶瓷封装，采用嵌入式安装方式，带有弯曲（BI-G）或直（BI）导线。封装底部的法兰同时用作直流接地、射频接地和热通道。此部分符合RoHS。

特征

高达10GHz的高频操作

增益=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏极=55%@2.8ghz

表面贴装

有效散热的底层

应用

高动态接收器

蜂窝无线基站

宽带和窄带放大器

雷达

测试仪器

军事

干扰器