单层射频电容器
单层射频电容器

重要参数

0.04 pF–10 nF

DC–100 GHz

Q≥1 000

0±30 ppm/°C 

50 V–1 kV

25 mil 耐脉冲 2 kV

全非磁性端接

交期:6-8周

品牌:PPI(Passive Plus)

产品详情介绍

产品特点

PPI 提供标准“边到边”SLC(单层电容),尺寸、形状及容值公差严格可控。采用温度稳定型低损耗材料,配合特殊端接工艺,可支持 25 mil(0.025 英寸)及以上厚度,全面提升整体焊接效果。芯片的尺寸、形状与电气性能,均可根据所选介质材料灵活确定。
· 电容量:0.04 pF – 10,000 pF
· 方形或矩形,长/宽最小 0.005 英寸起

单层射频电容器选型


系列频率上限容值范围典型应用物理/工艺特征
Standard Edge-to-Edge100 GHz0.04 pF – 10 000 pFDC Blocking、RF Bypass、滤波、调谐边到边全电极,可做到 25 mil 以上厚度,低损耗温度稳定材料
Border Cap100 GHz0.04 pF – 3 300 pF同上电极四周留边,降低边缘电弧,适合高 Q/高功率
Twin Cap30 GHz0.06 pF – 1 200 pF取消金线键合、高精度差分/平衡电路一颗芯片内含两个匹配电容,容差可配对至 ±0.02 pF
Capacitor Array30 GHz0.4 pF – 3 300 pFGaAs IC 去耦、DC Blocking4–8 单元阵列,节省面积 40 %,单元间偏差 <2 %