高Q低ESR射频电容
高Q低ESR射频电容

重要参数

封装:0201~1111

容量:0.1 pF–100 nF

Q值:1 MHz下≥2000

ESR:可低至1 mΩ

电压:25 V–3 kV

温漂:C0G 0±30 ppm/°C

频段:kHz–50 GHz

交期:6-8周

品牌:PPI(Passive Plus)

产品详情介绍

产品特点

高Q

高功率

低ESR/ESL

低噪声

高自共振

超稳定性能

电容范围:0.1pF至1000pF

工作电压:150V

扩展电压:300V


典型电路应用:

UHF/微波射频功率放大器

混频器

振荡器

滤波器

低噪声放大器

定时电路和延迟线

高Q低ESR射频电容选型


Q/低ESR - C/P系列

Q>10,000)电容

系列/尺寸

容值范围

WVDC(额定电压)

温度系数(TC

0505C/P (0.055"×0.055")

0.1 pF – 1 000 pF

150 / 300 V

NP00±30 ppm/°C
P90+90±20 ppm/°C

1111C/P (0.110"×0.110")

0.1 pF – 10 000 pF

500 / 1 500 V

NP00±30 ppm/°C
P90+90±20 ppm/°C

2225C/P (0.220"×0.250")

0.5 pF – 2 700 pF

2 500 / 3 600 V

NP00±30 ppm/°C
P90+90±20 ppm/°C

3838C/P (0.380"×0.380")

0.5 pF – 5 100 pF

3 600 / 7 200 V

NP00±30 ppm/°C
P90+90±20 ppm/°C

高功率电容器

系列/尺寸

容值范围

WVDC

温度系数

6040C (0.600"×0.400")

1 pF – 6 800 pF

5 000 / 8 000 V

NP00±30 ppm/°C

7676C (0.760"×0.760")

1 pF – 20 000 pF

5 000 / 8 000 V

NP00±30 ppm/°C

1313C (1.30"×1.30")

200 pF – 120 000 pF

1 kV – 10 kV

未标明(通常为NP0

 

EIA 高Q(超低ESR)- N系列

EIAQ电容(超低ESR

EIA 尺寸

实物尺寸 (inch)

容值范围

额定电压 (WVDC)

安装方式

0201N

0.020 × 0.010

0.1 pF – 47 pF

25 / 50 V

垂直

0402N

0.040 × 0.020

0.1 pF – 33 pF

250 V

水平

0603N

0.060 × 0.030

0.1 pF – 100 pF

250 V

水平

0708N

0.070 × 0.080

0.1 pF – 100 pF

500 V

垂直

0805N

0.080 × 0.050

0.1 pF – 220 pF

250 V

水平

1111N

0.110 × 0.110

0.2 pF – 1 000 pF

500 / 1000 V

水平

 

ESR旁通 - X系列

ESR旁通电容

尺寸代码

实物尺寸 (inch)

容值范围

额定电压 (WVDC)

0505X

0.055 × 0.055

470 pF – 0.01 µF

50 V

1111X

0.110 × 0.110

0.047 µF – 0.1 µF

50 V

2225X

0.220 × 0.250

0.01 µF – 1 µF

300 V