Qorvo的NBB-400级联宽带InGaP/GaAs MMIC放大器是种成本更低、性能卓越的解决方案,能够满足通用型射频和微波放大器需求。NBB-400具有50Ω增益块根据值得信赖的HBT特有MMIC设计,为小信号应用提供了前所未有的性能指标。
AMCOM的AM020313XD-P3是款高IP3无源双平衡混频器,AM020313XD-P3频率范围在220-300MHz之间,LO驱动电平范围在+14dBm至+20dBm。
CHA2441-QAG是款K波段低噪声放大器,从单独偏置电源+3.3V具备25.5dB增益值,相位噪声为2.5dB。所有的有源器件都是板上自偏置的。
CREE扩展了其在碳化硅(SiC)技术中的主导地位,低电感分立封装具备宽沿面和漏极与源极之间的空隙距离(~8mm)。900 V分立碳化硅MOSFET灵活运用最新的MOSFET
MAAM-011305-DIE是款宽带高动态范围单级MMIC LNA。宽度为0.795 x 0.66 mm。MAAM-011305-DIE放大器内部适配,不需要任何外部适配模块,就可以提供平整的增益和8 GHz的优良回波损耗。只需隔直电容器和带旁路电容的射频扼流线圈。
NBB-312级联宽带InGaP/GaAs MMIC放大器是种成本更低、性能卓越的解决方案,能够满足通用型射频和微波放大器需求。NBB-312根据安全可靠的HBT特有MMIC设计,为小信号应用提供了前所未有的性能指标。
RF Lambda的RFLUPA0030G10A是L,S波段超宽频功率放大器,适合用在各式各样无线通信网络和国防安全应用领域,RFLUPA0030G10A频率范围在0.02GHz至3GHz。
Qorvo的CMD244K5是款宽带GaAs MMIC分布式驱动放大器,频率范围从DC到20 GHz,使用无导线表面贴装封装形式。
AMCOM的AM012514XD-P3是款高IP3无源双平衡混频器,AM012514XD-P3的LO驱动电平范围包括+14dBm至+20dBm。
CHA2190-99F是款两级自偏置宽带单片低噪声放大器。CHA2190-99F使用标准的pHEMT制造技术:栅极尺寸为0.25µm,根据基板上的通孔、空气桥和电子束栅极光刻技术。CHA2190-99F以芯片形式提供。
CREE的1700 V碳化硅(SiC)MOSFET能够实现相对较小、高效率的功率转换系统。与硅基处理方式相比较,CREE碳化硅技术能够提高系统功率密度、较高的工作频率、较小的结构设计、更冷门的的模块、较小的模块规格(电感器、电容器、滤波器和变压器)和整体成本效率。
RLC Electronics宽带肖特基和隧道二极管探测器通常用于同轴系统,在10 MHz至18.0 GHz的频率范围内检测高至100 mW的相应微波功率。
Q20HA-9500R是款宽带双向耦合器,具有高专一性和高功率处理效率。Q20HA-9500R定向耦合器具有低插入损耗、高功率性能、高专一性、小封装中的平整耦合电路。
MECA提供的IS-3.000隔离器选用SMA母连接器,均值额定功率为30瓦,工作频段为2.000-4.000 GHz。提供适合IP 67标准的隔离器。
Qorvo的NBB-310级联宽带InGaP/GaAs MMIC放大器是种成本更低、性能卓越的解决方案,能够满足通用型射频和微波放大器使用需求。
AMCOM的AM012509XD-P3是款高IP3无源双平衡混频器,AM012509XD-P3的LO驱动电平范围在+10dBm至+16dBm。
CHA2193-99F是款三级低噪声放大器。芯片的背面是射频和直流接地。有利于优化安装过程。CHA2193-99F致力于从国防军事到商业服务通讯系统的普遍使用需求设计。
CREE的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列对应高功率应用进行优化,如应急电源(UPS)、电机控制系统和驱动器、开关电源电路、储能设备、新能源电动车快充、高压DC/DC转换器等。
KR 2413是一个400Hz带通滤波器。通常适用于PCB封装,其他通带频率均可用。
SemiGen的电感线圈通常是在石英基板上采用薄膜工艺制造的。高精密光刻技术和非化学蚀刻技术提供整洁的边缘,以保障电磁线圈之间的均匀度。