30-46 GHz高隔离度Ka波段Q波段高中频带宽混频器芯片CMD261

2018-08-29 09:18:56

CMD261是一款通用双平衡混频器芯片，具有超宽IF带宽，可用于30至46 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD261对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。

26-45 GHz无源双平衡拓扑K波段Ka波段Q波段基本混频器芯片CMD181

2018-08-29 09:12:34

CMD181是一款通用双平衡混频器芯片，可用于26至45 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD181对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。

6-14 GHz通用C波段X波段Ku波段双平衡混频器芯片CMD177

2018-08-28 11:39:54

CMD177是一款通用双平衡混频器芯片，可用于6至14 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD177对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD180C3无引脚贴片20-32GHz通用高隔离度双平衡混频器

2018-08-28 11:33:02

CMD180C3是一款采用无引脚表面贴装（SMT）封装的通用双平衡混频器，可用于20至32 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的巴伦结构，CMD180C3混频器MMIX对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD179C3低转换损失K波段16-26GHz无源双平衡混频器

2018-08-28 11:24:51

CMD179C3是一款采用无引脚表面贴装（SMT）封装的通用双平衡混频器MMIC，可用于16至26 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD179C3 MMIC对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD179双平衡Ku波段K波段混频器MMIC芯片

2018-08-28 11:19:19

CMD179是一款通用双平衡混频器MMIC芯片，可用于16至26 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD179混频器MMIC对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD178C3通用宽IF带宽无源双平衡混频器11-21 GHz

2018-08-28 11:01:01

CMD178C3是一款采用无引脚表面贴装（SMT）封装的通用双平衡混频器MMIC，可用于11至20 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD178C3对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD183C4是7.5-13GHz高隔离度射频微波IQ混频器镜像抑制26dB

2018-08-28 10:51:28

CMD183C4是一款紧凑型RF /微波I / Q混频器MMIC，采用无引脚表面贴装（SMT）封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。CMD183C4 I / Q混频器采用两个双平衡混频器单元和一个90度混合器。需要外部IF混合来完成镜像抑制。

6-14 GHz通用型C波段X波段Ku波段双平衡基波混频器CMD177C3

2018-08-28 10:46:06

CMD177C3是一款通用型双平衡混频器，采用无引脚表面贴装封装，可用于6至14 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD177C3混频器MMIC对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD182C4是一款6-10 GHz紧凑型GaAs射频微波IQ混频器MMIC

2018-08-28 10:40:34

CMD182C4是一款紧凑型GaAs射频/微波I / Q混频器MMIC，采用无引脚表面贴装（SMT）封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。CMD182C4 I / Q混频器MMIC采用两个双平衡混频器单元和一个90度混合器。需要外部IF混合来完成镜像抑制。

2-30 GHz（S，C，X，Ku，K，Ka频段）5位数字衰减器CMD279

2018-08-27 15:15:41

CMD279是一款正控制，宽带GaAs MMIC 5位数字衰减器芯片，工作频率范围为2至30 GHz。衰减器的每个位由0 V或+ 5V的单个电压控制。衰减器位值为0.5（LSB），1,2,4和8 dB，总衰减为15.5 dB。

CMD281超宽带2位数字衰减器芯片

2018-08-27 14:58:41

CMD281是负控制，宽带GaAs MMIC 2位数字衰减器芯片，工作频率范围为DC至40 GHz。衰减器的每个位由0 V或-5 V的单个电压控制。衰减器位值为2 dB和4 dB，总衰减为6 dB。CMD281在18 GHz时具有1.2 dB的低插入损耗，衰减精度通常为0.1 dB步进误差。

CMD280负控制DC-30GHz宽带GaAs MMIC 5位数字衰减器芯片

2018-08-27 14:51:44

CMD280是负控制，宽带GaAs MMIC 5位数字衰减器芯片，工作频率范围为DC至30 GHz。衰减器的每个位由0 V或-5 V的单个电压控制。衰减器位值为0.5（LSB），1,2,4和8 dB，总衰减为15.5 dB。CMD280在10 GHz时具有3 dB的低插入损耗，衰减精度通常为0.1 dB步进误差。

CMD282C3负控制DC-22GHz宽带GaAs MMIC 2位数字衰减器

2018-08-27 14:47:42

CMD282C3是一款负控制，宽带GaAs MMIC 2位数字衰减器，采用无引脚3x3 mm表面贴装封装。衰减器的每个位由0 V或-5 V的单个电压控制。衰减器位值为4 dB和8 dB，总衰减为12 dB。CMD282C3在10 GHz时具有1.9 dB的低插入损耗，衰减精度通常为0.2 dB步进误差。

DC-22 GHz宽带GaAs MMIC 2位数字衰减器CMD281C3

2018-08-27 14:37:59

CMD281C3是一款负控制，宽带GaAs MMIC 2位数字衰减器，采用无引脚3x3 mm表面贴装封装。衰减器的每个位由0 V或-5 V的单个电压控制。衰减器位值为2 dB和4 dB，总衰减为6 dB。

CMD280C3宽带DC-18GHz低插入损耗Ku波段5位数字衰减器

2018-08-27 14:25:37

CMD280C3是一款负控制，宽带GaAs MMIC 5位数字衰减器，采用无引脚3x3 mm表面贴装封装。衰减器的每个位由0 V或-5 V的单个电压控制。衰减器位值为0.5（LSB），1,2,4和8 dB，总衰减为15.5 dB。CMD280C3在10 GHz时具有3的低插入损耗，衰减精度通常为0.1 dB步进误差。

CMD279C3正控制宽带GaAs MMIC 5位数字衰减器

2018-08-27 14:18:41

CMD279C3是一款正控制，宽带GaAs MMIC 5位数字衰减器，采用无引脚3x3 mm表面贴装封装。衰减器的每个位由0 V或+ 5V的单个电压控制。衰减器位值为0.5（LSB），1,2,4和8 dB，总衰减为15.5 dB。CMD279C3在9 GHz时具有3.5的低插入损耗，衰减精度通常为0.2 dB步进误差。

DC-40GHz超宽带2位数字衰减器芯片CMD282

2018-08-27 14:04:06

CMD282是负控制，宽带GaAs MMIC 2位数字衰减器芯片，工作频率范围为DC至40 GHz。衰减器的每个位由0 V或-5 V的单个电压控制。衰减器位值为4 dB和8 dB，总衰减为12 dB。CMD282在18 GHz时具有1.5 dB的低插入损耗，衰减精度通常为0.1 dB步进误差。

CMD172用于K和Ka波段设计的RF微波电压可变衰减器MMIC芯片

2018-08-27 13:58:32

CMD172是一款宽带，RF /微波GaAs MMIC吸收电压可变衰减器（VVA）芯片，工作频率范围为18至40 GHz。VVA使用-3V至0V的单个DC控制电压来控制37 dB动态范围内的RF信号电平。CMD172衰减器MMIC具有1.6 dB的极低插入损耗，采用50欧姆匹配设计，无需RF端口匹配。

AMCOM的GaAs MMIC PAs系列产品推出最新EM封装 性能更好

2018-08-27 11:37:58

AMCOM的GaAs MMIC PAs系列产品，最近新出了EM 封装，是替代之前的FM封装的，预计未来一到两年后全部替换成EM, FM依然可以继续购买。 EM的性能更好，更有优势。