MAPR-002729-170M00双极NPN硅微波功率晶体管,符合RoHS标准,内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器、宽带C类操作、密封金属/陶瓷封装。
MAPR-001214-380M00雷达脉冲功率晶体管,具有NPN硅微波功率晶体管、金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、宽带C类操作、内部输入和输出阻抗匹配等特点
131D-02K-LT5DB是一款直接调制的2.5Gbps 1310 nm分布式反馈(DFB)激光二极管器件,采用密封TO-56封装,带有平窗,球透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02J-LCT11-07是一款直接调制的2.5Gbps 1310nm DFB激光二极管芯片,采用获得专利的蚀刻刻面技术,成本低廉,可作为测试芯片或晶圆使用。
131D-02I-LT5UB是一款直接调制的2.5Gbps 1310 nm分布式反馈(DFB)激光二极管器件,采用密封TO-56封装,带有平窗,球透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02I-LT5MB是一款直接调制的2.5Gbps 1310 nm分布式反馈(DFB)激光二极管器件,采用密封TO-56封装,带有平窗,球透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02I-LT5CB是一款直接调制的2.5Gbps 1310 nm分布式反馈(DFB)激光二极管器件,采用密封TO-56封装,带有平窗,球透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02I-LT5AB是一款直接调制的2.5Gbps 1310 nm分布式反馈(DFB)激光二极管器件,采用密封TO-56封装,带有平窗,球透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02I-LCT11是一款直接调制的2.5Gbps 1310nm DFB激光二极管芯片,采用获得专利的蚀刻刻面技术,成本低廉,可作为测试芯片或晶圆使用。
131D-02I-KT5PB是直接调制的2.5 Gbps窄远场(NFF)DFB激光二极管芯片。它采用获得专利的蚀刻刻面技术,可实现高性能和产品均匀性,采用密封TO-56封装,带平面窗,球面透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02I-KCT11是一款直接调制的2.5Gbps 1310nm窄远场(NFF)DFB激光二极管芯片,采用获得专利的蚀刻刻面技术,成本低廉,可作为测试芯片或晶圆使用。
131D-02E-LCT11-10是一款直接调制的2.5Gbps 1310nm DFB激光二极管芯片,采用获得专利的蚀刻刻面技术,成本低廉,可作为测试芯片或晶圆使用。
131D-02E-VT5TB-50X产品是直接调制的10Gbps DFB激光二极管芯片,具有±10nm的中心波长容限。该产品采用获得专利的蚀刻刻面技术,可实现高性能和产品均匀性。产品可作为测试模具提供。
131D-02E-VT5MB-502系列产品采用密封TO-56封装直接调制2.5Gbps 1310 nm DFB窄边场(NFF)激光二极管。产品提供2mm球透镜(6.7mm FL),集成InGaAs监控光电二极管和B型引脚排列(共阳极)。
131D-02E-VCT11-50x系列产品是直接调制的2.5Gbps 1310nm窄Farfield(NFF)DFB激光二极管芯片。这些产品采用获得专利的蚀刻刻面技术,成本低廉。产品可作为测试模具提供。
131D-02E-LT5AB-07是一款直接调制的2.5Gbps 1310 nm分布式反馈(DFB)激光二极管器件,采用密封TO-56封装,带有平窗,球透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02E-LCT11是一款直接调制的2.5Gbps 1310nm DFB激光二极管芯片,采用获得专利的蚀刻刻面技术,成本低廉,可作为测试芯片或晶圆使用。
131D-02E-KT5TB是一款直接调制的2.5 Gbps窄远场(NFF)DFB激光二极管芯片。它采用获得专利的蚀刻刻面技术,可实现高性能和产品均匀性,采用密封TO-56封装,带平面窗,球面透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02E-KT5PB是TO-56 Can中直接调制的2.5 Gbps窄距离场(NFF)DFB激光二极管,带有2mm球透镜(6.6 FL),具有偏移和引脚B.它采用了专利蚀刻Facet技术可实现高性能和产品均匀性。
131D-02E-KCT11是一款直接调制的2.5Gbps 1310nm窄远场(NFF)DFB激光二极管芯片,采用获得专利的蚀刻刻面技术,成本低廉,可作为测试芯片或晶圆使用。