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HMC394LP4低噪声GaAs HBT可编程5位计数器 现货
2019-02-26 17:20:32HMC394LP4(E)是一款低噪声GaAs HBT可编程5位计数器，采用4x4 mm无铅表面贴装封装。 在输入频率高达2.2 GHz时，该器件可在N为2至32范围进行连续分频。
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HMC507LP5异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO 现货
2019-02-26 17:10:10HMC507LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。HMC507LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。
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HMC644ALC5卫星通信5位数字移相器15-18.5GHz 现货
2019-02-26 17:05:59HMC644ALC5是一款5位数字移相器，额定频率范围为15至18.5 GHz，提供360度相位覆盖，LSB为11.25度。 HMC644ALC5在所有相态具有3.5度的极低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。
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HMC658宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片 现货
2019-02-26 16:56:28HMC658是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片，提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的微带、混合及多芯片模块应用。
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HMC326MS8G高效率异质结双极性晶体管驱动器放大器 现货
2019-02-26 16:39:12HMC326MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC驱动器放大器，工作频率范围为3至4.5 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和热性能。
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HMC432低噪声2分频静态分频器 现货
2019-02-26 16:28:10HMC432(E)是一款低噪声2分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用超小型表面贴装SOT26塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至8 GHz的输入频率下工作，使用+3V DC单电源。
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HMC753LP4E低噪声宽带放大器 现货
2019-02-26 16:15:12HMC753是一款GaAs MMIC低噪声宽带放大器，采用无引脚4x4 mm塑料表贴封装。 该放大器的工作频率范围为1至11 GHz，提供高达16.5 dB的小信号增益、1.5 dB噪声系数及+30 dBm输出IP3，同时采用+5V电源的功耗仅55 mA。
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HMC792ALP4E封装6位数字衰减器 现货
2019-02-26 16:09:54HMC792ALP4E是0.25 dB LSB GaAs MMIC 6位数字衰减器，采用SMT封装，DC - 6 GHz，应用于蜂窝/3G基础设施、WiBro / WiMAX / 4G、微波无线电和VSAT、测试设备和传感器等
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HMC655固定6 dB无源衰减器芯片DC-50GHz 现货
2019-02-26 14:45:46HMC655是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片，提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的微带、混合及多芯片模块应用。
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HMC1167LP5E单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器 现货
2019-02-26 14:23:03HMC1167是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO)，具有半频输出。由于振荡器采用单芯片结构，因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。
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HMC702LP6CE小数N分频频率合成器 ADI现货
2019-02-26 14:15:42HMC702是一款SiGe BiCMOS小数N分频频率合成器。 该频率合成器内置一个8GHz 16位RF N分频器、一个24位Σ-Δ调制器、一个极低噪声数字鉴频鉴相器(PFD)和一个精密控制电荷泵。
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HMC447LC3低噪声4分频再生分频器 现货
2019-02-26 14:07:37HMC447LC3是一款低噪声4分频再生分频器，采用InGaP GaAs HBT技术。 这款宽带分频器的工作输入频率为10到26 GHz，可接受极宽范围的输入功率水平。
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HMC468ALP3E宽带3位GaAs IC数字衰减器 现货
2019-02-26 14:04:23HMC468ALP3E是一款宽带3位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。 在DC到6.0 GHz频率下工作，插入损耗低于1 dB典型值，最高达到4 GHz。 衰减器位值为1 (LSB)、2和4 dB，总衰减为7 dB。
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HMC587LC4B宽带GaAs InGaP电压控制振荡器 现货
2019-02-26 11:28:34HMC587LC4B是一款宽带GaAs InGaP电压控制振荡器，集成了谐振器、负电阻器件、变容二极管。 由于振荡器的单芯片结构，其输出功率和相位噪声性能在不同的温度下始终非常出色。
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HMC561军事x2有源宽带倍频器芯片 ADI现货
2019-02-26 11:23:25HMC561是一款采用GaAs pHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+5 dBm信号驱动时，该倍频器在8至21 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率，在16 GHz频率下，Fo和3Fo隔离均为15 dBc。
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HMC695LP4E有源微型x4倍频器 现货代理
2019-02-26 11:07:15HMC695LP4E是一款利用InGaP GaAs HBT技术制造而成的有源微型x4倍频器，采用4x4 mm无铅表贴封装。 在+5V电源电压下，功率输出为+7 dBm（典型值）且相对输入功率、温度和电源电压变化很小。
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HMC565LC5低噪声放大器芯片 ADI现货
2019-02-26 10:52:55HMC565LC5是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，采用符合RoHS标准的无引脚5x5mm SMT封装。 HMC565LC5工作频率范围为6至20 GHz，在整个工作频段内具有21 dB小信号增益、2.5 dB噪声系数和+20 dBm输出IP3。
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HMC746LC3C高速逻辑和数据路径管理 现货代理
2019-02-25 11:12:58HMC746是一种AND / NAND / OR / NOR功能，旨在支持高达13 Gbps的数据传输速率和高达13 GHz的时钟频率。HMC746可以很容易地配置为提供以下任何逻辑功能：AND，NAND，OR和NOR。
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HMC903LP3E军事单片微波集成电路 现货
2019-02-25 11:07:25HMC903LP3E是一款自偏置砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），假晶（pHEMT），低噪声放大器（LNA），具有用于降低IDQ的选项偏置控制。它采用16引脚，3 mm×3 mm，LFCSP封装。
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HMC1082LP4E/HMC1082LP4ETR军事电子战驱动放大器 现货
2019-02-25 10:48:33HMC1082LP4E是一款GaAs pHEMT MMIC驱动放大器，集成了温度补偿片上功率检测器，工作频率范围为5.5至18 GHz。该放大器在1 dB增益压缩下提供22 dB增益，+ 35 dBm输出IP3和+24 dBm输出功率，而+ 5V电源则需要220 mA。