微带线环形器是Nova 公司的循环器,Nova Microwave是佛罗里达州的一家公司,,专门从事各种铁氧体循环器和隔离器的设计,工程和制造。 Nova Microwave是技术差异化电子和射频铁氧体循环器和隔离器的领导者,可连接,保护和控制全球微波电子市场的关键系统,包括商用和军用无线通信。
2.92mm转1.85mm毫米波适配器40GHz是SOUTHWEST产品,推荐用于军用、航天、仪表测试等应用
1.0mm毫米波连接器按照Southwest Microwave的严格性能和质量标准制造,坚固耐用,具有360°凸起的接地环,额定工作温度为-55°C至+ 165°C。1.0mm连接器可在110 GHz范围内提供无模式工作,提供匹配良好的阻抗,出色的可重复性,以及业界最低的VSWR(1.2:1),插入损耗(0.6 dB)和RF泄漏(≤-100 dB)。
2.92mm毫米波连接器是SOUTHWEST产品,有超强的可靠性、相位和插入损耗可重复能力。它能在DC-46GHz频带范围内使用,具有良好的电性能,且能与现在已广泛使用的SMA连接器兼容,很快地被广大制造商认可,且成为目前国际上应用最为广泛的毫米波接头之一
毫米波连接器组件和工具是工作在毫米波段的连接器的总称,包括内导体、外导体、介质支架、左连接器和右连接器。介质支架两侧对称设置环形槽。介质支架由上介质支架和下介质支架组成,环槽相应地由上环槽和下环槽组成。
End Launch 毫米波连接器是SOUTHWEST的高性能端发射连接器,旨在为高频信号位于顶层的单层和多层印刷电路板提供低VSWR,110 GHz的无模式宽带响应。提供SMA(27 GHz),2.92 mm(K)(40 GHz),2.40 mm(50 GHz),1.85 mm(V),(67 GHz)和1.0 mm(W)(110 GHz)。
AM005WN-00-R是AMCOM的一种分立GaN/SiC HEMT总栅极宽度为0.5mm。这是赤裸裸的死亡它可以工作到18千兆赫。它可以提供典型的饱和功率为33.4 dBm。它可以用在低噪声、高动态范围接收器和大功率发射机。此部分符合RoHS。
AM012WN-00-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT闸门总宽度为1.25毫米。这是赤裸裸的死亡它的工作频率可达15ghz。它可以提供典型的饱和功率为37.7 dBm。这部分是RoHS顺从。
AM025WN-00-R是AMCOM的一种分立GaN/SiC HEMT总栅极宽度为2.5毫米(两个1.25毫米FET平行地)。这是一个裸模,可以操作到15千兆赫。它可以提供40.5的典型饱和功率数据库管理系统。此部分符合RoHS。
AM005WN-BI-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT总栅极宽度为0.5mm。在一个陶瓷里工作频率高达12ghz的组件。BI系列使用特殊设计的陶瓷包装,带有弯曲(BI-G)或直线(BI)导线采用落地式安装方式。法兰在包裹的底部同时充当直流接地、射频接地和热通道。这部分是符合RoHS。
AM012WN-BI-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT闸门总宽度为1.25毫米。在一个陶瓷桶里可运行高达10千兆赫的软件包。BI系列使用特殊设计的陶瓷包装,带有弯曲(BI-G)或直线(BI)导线采用落地式安装方式。法兰在包装的底部同时作为直流接地、射频接地和热通道。这部分是符合RoHS。
AM025WN-BI-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT总栅极宽度为2.5毫米。在一个陶瓷里可在8千兆赫以下工作的组件。BI系列使用特殊设计的陶瓷弯曲包装(BI-G)或直线(BI)导线采用落地式安装方式。法兰在包装的底部同时作为直流接地、射频接地和热通道。这部分是符合RoHS。
AM100WN-CU-R是AMCOM的GaN/SiC裙边此部分的总门宽为10毫米。AM100WN-CU-R专为大功率设计微波应用,工作频率高达6GHz。系列是一个特别设计的陶瓷包装直引线和法兰采用嵌入式安装方式。包装底部的法兰用于同时作为直流接地、射频接地和热接地路径。此部分符合RoHS。
AM13714530WM-SM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分在13.75到14.5ghz频段工作。它有超过30分贝的增益和30分贝输出功率。放大器被封装在带有射频和直流连接。设备的安装法兰有助于实现良好的散热效果通向接地散热器的路径。
AM324036WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有29分贝的增益和3.2至4.0GHz频段36dBm输出功率。该MMIC是一个陶瓷封装,具有射频和直流引线在较低层次的封装,以方便低成本的SMT组装到PC板。
AM050WN-CU-R是AMCOM的GaN/SiC卷边。此部分的总门宽为5mm。AM050WN-CU-R专为大功率设计微波应用,工作频率高达6千兆赫系列是一个特别设计的陶瓷包装直引线和法兰采用嵌入式安装方式。包装底部的法兰用于同时作为直流接地、射频接地和热接地路径。此部分符合RoHS。
AM284233MM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有34分贝的增益和在2.8到4.2GHz频带上输出33dBm的功率。这个MMIC是一个陶瓷封装,有射频和直流引线在较低层次的封装,以方便低成本的SMT组装到PC板。
AM304031WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有31分贝的增益和31在2.6到4.8GHz频带上的dBm饱和输出功率。这个MMIC是一个陶瓷封装,射频和直流都有在较低层次的封装,以促进低成本的SMT组装到PC板。
AM264240WM-EM-R是AMCOM的砷化镓HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。这是两个阶段GaAs-HIFET-PHEMT-MMIC功率放大器。AM264240WM-EM-R在输入和输出端都与50欧姆完全匹配,覆盖2.6欧姆至4.2GHz。
AM254038WM-EM-R是AMCOM的砷化镓HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。这是两个阶段GaAs-HIFET-PHEMT-MMIC功率放大器。它与50欧姆的输入和输出完全匹配,覆盖2.4到4.4赫兹。该MMIC具有18dB的增益和38dBm的12V输出功率射频和直流引线位于封装的较低层,以便于将低成本的SMT组装到PC板上。