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ATN3580-01射频固定衰减器芯片
2026-04-09 16:36:19ATN3580-01 是 Skyworks Solutions Inc.旗下 ATN3580 系列的宽带射频固定衰减器芯片，采用高阻硅基薄膜电阻工艺，专为微波、射频通信等系统设计，用于信号电平控制等。
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575-13-85-065-01M-R27-L14图像传感器插座ANDON
2026-04-09 16:33:55575-13-85-065-01M-R27-L14 是安东电子推出的高可靠性图像传感器插座，专为 CMOSIS/AMS 图像传感器设计，适配光电、气体传感等场景，满足工业自动化、环境监测、医疗设备等领域需求。
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AAT-22-479/2S电压控制衰减器
2026-04-09 16:27:34AAT-22-479/2S 是 PULSAR 旗下 AAT 系列的模拟电压控制衰减器，采用 SMA 接口，专为商用、工业及国防射频系统开发，通过 0 至 +8 V 控制电压实现 32 dB 动态衰减范围，可替代传统机械衰减器提升系统自动化与可靠性。
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CHA6251-QKB三级式GaN-on-SiC功率放大器
2026-04-08 16:26:17CHA6251-QKB 是 United Monolithic Semiconductors (UMS) 于 2024 年 12 月推出的 Ku 波段三级式 GaN-on-SiC 功率放大器 MMIC，采用 12–20V 供电、24 引脚 4×4mm QFN 塑料封装且 RoHS 合规、MSL3 等级。
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CGH35030F高电子迁移率晶体管
2026-04-08 16:24:12CGH35030F 是 Wolfspeed（原 Cree）生产的氮化镓（GaN HEMT）高电子迁移率晶体管，采用陶瓷/金属法兰封装。具备高频运行（3.3 - 3.9 GHz 频段稳定工作）、功率强劲（峰值功率 30W）、高效高增益（典型效率 55%、增益 12dB）、频带灵活、适配 28V 工作电压等特性。
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HMC544A单刀双掷（SPDT）射频开关
2026-04-08 16:21:59HMC544A 是 Analog Devices（原 Hittite Microwave）生产的 GaAs MMIC T/R 射频单刀双掷开关，采用 6 引脚 SOT26 封装，频率范围 DC ~ 4 GHz，具备极低插入损耗（1GHz 时仅 0.2dB）、高线性度（IIP3 为 +60dBm）、正电压控制（0/+3V 或 0/+5V）等特点。
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N型连接器环形器（通信频段螺纹式）RFCI
2026-04-07 16:35:41美国 RFCI 打造的 N 型连接器环形器（通信频段螺纹式）是专业三端口铁氧体射频器件，采用标准 N 型螺纹接口与 50Ω 通信标准阻抗，专为通信频段设计。
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ADM-10709PSM宽带低噪声放大器
2026-04-01 16:35:02Marki Microwave 的 ADM-10709PSM 是一款 6–18 GHz 宽带低噪声放大器，采用 3×3 mm QFN 小型封装，具备 27 dB 典型高增益、1.5 dB 极低噪声系数及 8 mA 超低功耗，支持 3V 单电源供电，集成 50 Ω 匹配与直流隔直，外围电路极简，可靠性高，符合 RoHS 和 REACH 标准。
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LNA-20-08001200-30-20P低噪声放大器
2026-04-01 16:33:13LNA-20-08001200-30-20P 是 Amphenol Narda MITEQ（原 L3 Narda MITEQ）推出的 X 波段低噪声放大器模块，专为 VSAT 甚小口径终端卫星通信系统打造，具备 20dB 及以上高增益、3dB 低噪声系数，工作稳定且线性度良好，具有无条件稳定性、50Ω射频端口匹配、内部直流电压调节等特性。
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AIP0115-26-3512输入保护低噪声放大器
2026-04-01 16:31:18WENTEQ旗下AIP系列的AIP0115-26-3512是一款集成输入保护的低噪声放大器，内置防护电路可抵御 1W 连续波输入功率冲击，兼具低噪声系数（典型值 1.2 dB）、高增益（35 dB）、良好驻波特性（输入输出 VSWR 优于 1.5:1）及无条件稳定设计，工作温度范围广（-40°C 至 +75°C），采用 SMA 母头同轴封装。
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RADC-12.0-13.5-MSSMY-3WL (9×6)-b微带环形器
2026-03-31 16:35:39RADC-12.0-13.5-MSSMY-3WL (9×6)-b 是 RADITEK 公司推出的 MSSM 系列微带环形器，采用金属背衬基板结构，具有低插入损耗、高隔离度、低驻波比及 3W 连续波/10W 峰值功率处理能力，为 Y 型三端口结构，封装尺寸 9mm×6mm，支持嵌入式安装。
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34WFV50精密射频连接器
2026-03-31 16:32:4534WFV50 是安立 34 系列的 W1-V 精密射频转接器，专为高频测试设计，采用 50Ω 标准阻抗，实现 W1 母头（1.0mm）与 V 公头（1.85mm）低损耗、低反射转接，频率范围 DC ~ 65 GHz，驻波比≤1.22、插入损耗≤0.5dB，具有低损耗传输、优化接口匹配、耐腐蚀性强等性能优势。
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XMC0102L3-03S混合耦合器
2026-03-31 16:29:19XMC0102L3-03S 是 TTM Technologies（原 Anaren）旗下高性能 90° 3dB 混合耦合器，频率范围 136 - 174 MHz (VHF 频段)，具备高精度相位控制、低损耗、高隔离度及小型化集成化等特点。
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3404-70电控TTL可编程衰减器
2026-03-30 16:35:263404 - 70 是 Aeroflex - Weinschel 公司 3400 系列专为自动测试设备(ATE)和 OEM 系统设计的电控 TTL 可编程步进衰减器，采用微带电路与特殊补偿技术，标配 TTL 控制接口与 SMA 连接器。
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102040016/102040016K定向耦合器
2026-03-25 16:27:18KRYTAR推出的102040016/102040016K定向耦合器性能卓越，具备超宽带覆盖（2.0 - 40.0 GHz）、低插损、高方向性、高功率承受能力等特点。
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1240CED 插入式循环器Nova Microwave
2026-03-25 16:25:201240CED插入式循环器是Nova Microwave专为通信、蜂窝与无线市场打造的高性能微波器件，采用嵌入式封装，频率范围11.100 - 13.700 GHz，具备低插入损耗（≤0.40 dB）、高隔离度（≥20 dB）、优异驻波特性（VSWR≤1.25），工作温度-40°C至+85°C，功率处理能力正向反向均为25W，尺寸小巧便于集成。
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145310-00SF射频同轴适配器
2026-03-25 16:23:07145310 - 00SF 是 Southwest Microwave 推出的高精度 RF 射频同轴适配器，采用 2.4mm 接口设计，为板对板转接适配器（2.40mm 转 SSBB，双母头，平滑孔），频率范围 DC 至 50 GHz，具备低驻波、低插损、低射频泄漏等特性，工作温度 -55°C 至 +135°C。
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MASW-008853-000000单刀双掷射频开关
2026-03-24 16:37:15MASW-008853-000000是MACOM推出的采用GaAs pHEMT工艺的SPDT射频开关，具备低插入损耗、高隔离度、高IIP3及低功耗特性，符合RoHS标准。
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QM12002射频单刀双掷（SPDT）开关
2026-03-24 16:34:29QM12002是Qorvo推出的高性能射频单刀双掷（SPDT）开关，针对低功率信号路由与天线分集优化，具备低插损、高隔离度、超小封装及单线GPIO控制特性，且无需外接隔直电容，可简化射频前端设计。
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N型母法兰安装标准循环器 RFCI
2026-03-24 16:32:10N型母法兰安装标准循环器是RFCI设计的同轴法兰安装系列产品，采用新一代小型化技术，支持顶部标准硬件安装，拆装便捷，具备超微型化结构、标准化接口、优异射频性能与严苛环境适应能力，符合RoHS标准。